??近年來(lái)，存儲(chǔ)器在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中占比逐年提升，存儲(chǔ)器市場(chǎng)也是芯片交易市場(chǎng)中最熱門(mén)的板塊之一。其中，NOR Flash在經(jīng)過(guò)之前的低谷后，該市場(chǎng)正在快速回溫。隨著供需關(guān)系的變化和整個(gè)市場(chǎng)行情的回暖，以及新興應(yīng)用的崛起，NOR Flash的重要性受到越來(lái)越多地關(guān)注。
? 新興驅(qū)動(dòng)：NOR Flash需求激增
??一般來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)芯片可以簡(jiǎn)單分為DRAM和Flash，F(xiàn)lash又分為NOR Flash 和Nand Flash兩種。其中，NOR Flash芯片應(yīng)用領(lǐng)域極其廣泛，幾乎所有需要存儲(chǔ)系統(tǒng)運(yùn)行數(shù)據(jù)的電子設(shè)備都需要使用NOR Flash。特別是在新興應(yīng)用的推動(dòng)下，市場(chǎng)對(duì)NOR Flash需求較為旺盛，產(chǎn)品供不應(yīng)求，漲價(jià)趨勢(shì)較為明顯，市場(chǎng)規(guī)模也將重回增長(zhǎng)。具體而言，以TWS耳機(jī)為代表的可穿戴設(shè)備、手機(jī)屏幕顯示的AMOLED和TDDI技術(shù)，以及功能越來(lái)越強(qiáng)大的車(chē)載電子等領(lǐng)域，是NOR Flash市場(chǎng)空間獲得再次擴(kuò)大的主要?jiǎng)恿Α?/span>
??以TWS耳機(jī)為例，據(jù) 統(tǒng)計(jì)，2019年全球 TWS 耳機(jī)出貨量為1.29 億部，呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)。而每顆TWS耳機(jī)均需要一顆NOR Flash 用于存儲(chǔ)固件及相關(guān)代碼。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，以及相關(guān)企業(yè)為了保證自家TWS耳機(jī)具有較強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，TWS耳機(jī)功能將會(huì)持續(xù)增加，而功能的增加也就意味著NOR Flash容量需求的增多。
??新興應(yīng)用驅(qū)動(dòng)使得NOR Flash的需求必然是從點(diǎn)到面的曲線(xiàn)式增長(zhǎng)?？紤]到穩(wěn)定增長(zhǎng)的市場(chǎng)環(huán)境，對(duì)于國(guó)內(nèi)相關(guān)廠(chǎng)商而言是遇到了良機(jī)，他們需要做的是牢牢把握機(jī)遇從而轉(zhuǎn)化為自身優(yōu)勢(shì)。
? 不斷精進(jìn)：國(guó)產(chǎn)NOR Flash實(shí)現(xiàn)突破
??目前，行業(yè)主流的NOR Flash產(chǎn)品工藝節(jié)點(diǎn)是65nm。而存儲(chǔ)器界的黑馬恒爍半導(dǎo)體，迎來(lái)新突破，推出48nm NOR Flash產(chǎn)品，率先走入新一代工藝節(jié)點(diǎn)。
? 恒爍NOR Flash 產(chǎn)品采用了功能更為復(fù)雜的芯片電路設(shè)計(jì)及不斷創(chuàng)新的工藝。它與上一代65nm產(chǎn)品相比，具有更高密度的集成，從而使得產(chǎn)品的特征尺寸不斷縮小，使其更廣泛地適配于各種應(yīng)用領(lǐng)域。并且，對(duì)于同等容量的存儲(chǔ)芯片來(lái)說(shuō)，Die size也就更小，如此一來(lái)大幅突顯出其成本優(yōu)勢(shì)，因此成本也有了顯著地下降。
??在產(chǎn)品設(shè)計(jì)上不斷進(jìn)行突破，從不同角度考慮提升產(chǎn)品質(zhì)量及性能。強(qiáng)調(diào)，此次推出的48nm NOR Flash具有幾大優(yōu)勢(shì)：通過(guò)有效刷新閃存單元數(shù)據(jù)，提高數(shù)據(jù)留存周期；使用新型擦除操作算法，提高產(chǎn)品可靠性；增加頻率監(jiān)測(cè)，減小溫度的波動(dòng)對(duì)產(chǎn)品的影響；增加電源驅(qū)動(dòng)，減小供電電源波動(dòng)對(duì)產(chǎn)品的影響等等。
? ??同時(shí)，新產(chǎn)品繼續(xù)支持標(biāo)準(zhǔn)SPI/Dual/Qual SPI及QPI的基礎(chǔ)上，增加了DTR傳輸模式，即在時(shí)鐘上升沿和下降沿都可以進(jìn)行數(shù)據(jù)輸出，相較于之前STR的單時(shí)鐘邊沿采樣，同樣的頻率下，有了雙倍的傳輸速率，進(jìn)一步提高了數(shù)據(jù)訪(fǎng)問(wèn)的效率。再加以48nm的工藝制程，使得新產(chǎn)品在讀寫(xiě)速度上占優(yōu)勢(shì)，在相同條件下產(chǎn)品功耗更小，有效地延長(zhǎng)了產(chǎn)品壽命。
??NOR Flash的需求激增讓國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器企業(yè)迎來(lái)了歷史性的發(fā)展機(jī)遇，以恒爍半導(dǎo)體為代表的國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片企業(yè)逐漸成熟壯大。隨著5G、IoT及自動(dòng)駕駛等新興市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)，NOR Flash行業(yè)的發(fā)展?jié)摿τ心抗捕?。將?huì)有更多的國(guó)內(nèi)企業(yè)入局，與恒爍半導(dǎo)體共同創(chuàng)新謀變，打破高端市場(chǎng)進(jìn)口壟斷的局面。